Epitaxial growth on porous GaAs substrates - 01/03/13
pages | 6 |
Iconographies | 8 |
Vidéos | 0 |
Autres | 0 |
Abstract |
We report on the electrochemical preparation of porous GaAs substrates in fluoride-iodide aqueous electrolytes for the lattice mismatched epitaxial growth from the vapor phase. The aim is to gain control over the uniformity of the pore nucleation layer and pore branching below this layer to achieve structures with a high degree of porosity and periodicity while leaving minimum damage on the substrate surface. Layers of InxGa1-xAs with varying In content are grown on GaAs substrates with different pore geometries and depths. Substantial differences in the surface morphology and photoluminescence efficiency of the layers grown on porous and conventional substrates are observed.
Le texte complet de cet article est disponible en PDF.Keywords : Electrochemical etching, Porous semiconductors, Epitaxial growth, GaAs, MOVPE
Plan
Vol 16 - N° 1
P. 59-64 - janvier 2013 Retour au numéroBienvenue sur EM-consulte, la référence des professionnels de santé.
L’accès au texte intégral de cet article nécessite un abonnement.
Bienvenue sur EM-consulte, la référence des professionnels de santé.
L’achat d’article à l’unité est indisponible à l’heure actuelle.
Déjà abonné à cette revue ?