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Chemical solution deposition of electronic oxide films - 01/01/04

Doi : 10.1016/j.crci.2004.01.007 

Robert W.  Schwartz a ,  Theodor  Schneller b * ,  Rainer  Waser bc *Corresponding author.

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Résumé

The chemical solution deposition (CSD) technique as a highly flexible method for the fabrication of electronic oxide thin films is reviewed. Various chemical aspects of different approaches are discussed, including sol-gel, hybrid, and metallo-organic decomposition (MOD) routes, which all have been successfully applied for the deposition of this class of materials. Principles of the selection and properties of the educts, the mechanism of film crystallization, and tailoring of microstructure through manipulation of deposition parameters are reported. The role of thermodynamics on the phase transformation process is also reviewed. Finally, some of the applications for chemical solution-derived thin films currently under development are illustrated, and recent advances, such as the deposition of less than 100-nm-thick films, lateral nanostructuring, and the formation of single nano-sized grains are considered. To cite this article: R.W. Schwartz et al., C. R. Chimie 7 (2004).

Résumé

Déposition par voie chimique de films d'oxydes électroniques. La déposition par voie chimique (CSD), méthode très flexible pour la fabrication de films d'oxydes électroniques, est détaillée. Les aspects chimiques de différentes approches, parmi lesquelles les méthodes sol-gel et hybrides, ainsi que la décomposition métallo-organique, sont discutés. Toutes ces méthodes ont été mises en oeuvre avec succès. Les principes de sélection et les propriétés des composants de base de la réaction chimique, le mécanisme de cristallisation des films et l'ajustement de la microstructure par la manipulation des paramètres de dépôt sont rapportés. Les facteurs thermodynamiques influençant les transitions de phase sont aussi détaillés. Enfin, quelques applications des films minces obtenues par de telles voies actuellement en développement sont présentées ; quelques progrès récents, comme la déposition de films de moins de 100 nm d'épaisseur, la production de nanostructures latérales et la formation de mono-grains de taille nanométrique sont considérés. Pour citer cet article : R.W. Schwartz et al., C. R. Chimie 7 (2004).

Mots clés  : Chemical solution deposition ; Electronic oxide films ; Ultra-thin films ; Nanotechnology ; Ferroelectrics ; Dielectrics ; Microstructure ; Epitaxial films.

Mots clés  : Déposition par voie chimique ; Films d'oxydes électroniques ; Films ultra-minces ; Nanotechnologies ; Matériaux ferroélectriques ; Matériaux diélectriques ; Microstructure ; Films épitaxiaux.

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Vol 7 - N° 5

P. 433-461 - mai 2004 Retour au numéro
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