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Local atomic order and optical properties in amorphous and laser-crystallized GeTe - 22/09/09

Doi : 10.1016/j.crhy.2008.09.002 
Wojciech Wełnic a, b, c, , Matthias Wuttig c , Silvana Botti a, b, d , Lucia Reining a, b
a Laboratoire des solides irradiés, CNRS-CEA, École polytechnique, 91128 Palaiseau cedex, France 
b European Theoretical Spectroscopy Facility (ETSF) 
c I. Physikalisches Institut IA, RWTH Aachen University, 52066 Aachen, Germany 
d LPMCN, Université Claude-Bernard Lyon I and CNRS, 69622 Villeurbanne, France 

Corresponding author at: Laboratoire des solides irradiés, CNRS-CEA, École polytechnique, 91128 Palaiseau cedex, France.

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Abstract

In this work we study the role of short-range order changes upon amorphization on the optical properties of GeTe – a prototype phase change material employed for optical data storage. It is found that the profound change in the absorption is due to changes in the matrix elements of the optical transitions. The importance of the local distortions in the crystalline phase for the optical absorption are revealed as well. Modifying the degree of the distortions has a significant impact on the optical properties of the crystalline state and should therefore become a promising instrument to improve material properties for storage applications.

Furthermore we study the effect of electron–electron and electron–hole interactions on the optical properties. This is achieved by evaluating many-body effects in the crystalline phase through a GW correction of eigenvalues and the solution of the Bethe–Salpeter equation. To cite this article: W. Wełnic et al., C. R. Physique 10 (2009).

Le texte complet de cet article est disponible en PDF.

Résumé

Dans cet article, nous étudions l’influence du changement de l’ordre à courte portée pendant l’amorphisation sur les propriétés optiques de GeTe. Cet alliage est un matériau à changement de phase typique, employé dans le stockage de données optiques. On trouve que la modification important de l’absorption vient du changement des éléments de matrice des transitions optiques. L’influence des distorsions locales dans l’état cristallin sur l’absorption optique est aussi mis en évidence. En modifiant l’amplitude des distorsions par des variations de stoechiométrie, les propriétés optiques changent. Cet effet peut être exploité pour optimiser les propriétés de ces matériaux.

En outre nous étudions l’effet des interactions électron–électron et électron–trou sur les propriétés optiques par une analyse des effets à N corps dans l’état cristallin. Nous examinons les corrections aux valeurs propres dans l’approximation GW et la solution de l’équation Bethe–Salpeter. Pour citer cet article : W. Wełnic et al., C. R. Physique 10 (2009).

Le texte complet de cet article est disponible en PDF.

Keywords : Phase change materials, Electronic structure calculations, RPA

Mots-clés : Matériaux avec changement de phase, Calculs des structures électroniques, RPS


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Vol 10 - N° 6

P. 514-527 - juillet 2009 Retour au numéro
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  • Ionic displacement caused by electronic excitations
  • Michael Rohlfing

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